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一种单片机电路中双向可控硅打火案例分析曾道人
发布日期:2019-11-06 19:35   来源:未知   阅读:

  可控硅器件是一种较为常见的半导体器件,其被大面积应用在电视、空调、冰箱、电灯等家电领域。因此在可控硅的应用过程中总会遇到这样或者那样的问题。由可控硅引起的电路及器件烧毁就是这样一种常见问题,本文就将结合实例,为大家讲解一种

  如图1所示,直流24V是半波整理后阻容降压所致,之后HT7533转换3V给单片机来控制可控硅和继电器。单片机控制信号先打开可控硅6ms,之后再打开继电器。那么问题来了,当可控硅不焊接时,单片机控制继电器正常,但连接MAC97A后,单片机接通可控硅后电路打火,单片机和后端的24V转3V的LDO烧毁,为什么会这样呢?

  如果在电路中需要使用可控硅,就需要用MOC3022之类光耦隔离控制,要求阻容降压电源正极和交流电源线接在共线上。 反观案例中的原理图和PCB,可以看到可控硅的G和T2之间电压很小,可控硅在焊接之后就将220v引入,因此打火的情况是必然的。

  此外不是只在G接控制即可,G的控制是相对于T2的,但T2已经达到了220v,曾道人。烧毁是必然的。这里多说一句,有的设计者很有想法,这样的方式能够让继电器接通时有抖动,可以避免继电器抖动带来的危害,因为在继电器接通时,可控硅已经打通。

  有时间的朋友可以试试使用过0触发的MOC3041/61/83之类来隔离驱动案例中的可控硅,可能连过0检测都不需要了。

  通过分析,可以看到本例中双向可控硅烧毁的问题是由设计和接通错误造成的。正在学习可控硅相关知识的朋友可以仔细阅读本文,邯郸涉县开往市区公交812路超载 拒绝乘客下车要求www.,相信一定能从文中找到一些有用的解决方法或知识点。